Innodisk 128GB Micro SD 3IE4 iSLC 112L

Innodisk 128GB Micro SD 3IE4 iSLC, -40°C~+85°C, P/E 100tis., TBW 11.360, MTBF>3mil.

Vlastnosti produktu:

• Rozhraní SD 3.0
• Podpora třídy 10 s UHS-I
• Přijímá TLC NAND flash
• Vysoký výkon
• Určeno pro přenosné a stacionární aplikace
• Podpora funkce SMART

Specifikace:

• Název modelu MicroSD karta 3IE4
• Rozhraní SD 3.0
• Typ flash paměti iSLC
• Kapacita 8 GB ~ 128 GB
• Sekvenční R/W (MB/sec, max.) 90/80
• Max. Spotřeba energie 0,7 W
• Max. Kanály 1
• S.M.A.R.T. Y
• Rozměry (šxdxv/mm) 11,0 x 15,0 x 1,0
• Vibrace 20G@7~2000Hz
• Nárazy 1500G@0.5ms
• MTBF >3 miliony hodin
• Provozní teplota Rozšířená třída: -40°C ~ +85°C
• Odolnost P/E; 100 000 cyklů P/E(112-L)

Společnost Innodisk uvedla na trh nejnovější generaci patentované technologie iSLC s exkluzivní průlomovou technologií firmwaru. Nová technologie je vybavena 112vrstvou pamětí BiCS5 TDC 3D NAND Flash, která dokáže zajistit nejvyšší počet 100 000 cyklů P/E (cyklů programování/vymazání) v oboru. Ve srovnání s tradičními TLC 3D NAND Flash se tak životnost prodlužuje 33krát. Při výběru úložného řešení není nutné dělat kompromisy v oblasti výkonu. Nejnovější generace technologie iSLC společnosti Innodisk chytře přepracovává buňky MLC/TLC a poskytuje až 100 000 cyklů P/E, což zvyšuje výkon zařízení na úroveň SLC.

Ukazatele kvality disku, které je vhodné sledovat při výběru :

• P/E - (program/erase) maximální počet přepisů jednotlivé buňky disku - závisí na technologii čipu : TLC, MLC - 3tis., iSLC - 30tis.až 100tis., SLC - 60tis.

• TBW - (terabytes written) - ukazatel životnosti produktu - počet zapsaných terabajtů souvisí s P/E a tedy technologií čipu, pro přiblížení (128GB TLC = 289TBW,   80GB iSLC = 5.000TBW)

• MTBF - (Mean Time Between Failures) - průměrná doba bezporuchového provozu, čím větší hodnota, tím lépe. Produkty Innodisk mají MTBF>3mil.hodin.

 FCC průmyslové systémy - oficiální distributor, servis Innodisk pro ČR a SR.