Počítačové komponenty

Innodisk 120GB M.2 (P80) 3TE4 Mkey TLC NVMe 3x4 -40°C+85°C P/E3tis. TBW 162 MTBF>3mil. DWPD 2.35

„Entry“ je pro zařízení s velmi nízkým výpočetním výkonem a modely procesorů jako Intel Atom nebo vybrané řady Celeron a AMD E1, E2, A4, A6 nebo G.

„Value“ je pro zařízení s procesory jako Intel Core i3, i5 nebo AMD řady R, A10, A8 a ostatní modely FX

Windows® 11 IoT Enterprise 2024 LTSC Entry (ESD) - EPKEA

Innodisk 250GB M.2 (P42) 3TE4 TLC NVMe 3x4 M key -40°C+85°C P/E 3tis. TBW 325 MTBF>3mil. DWPD 1.35

8GB DDR4 SO-DIMM 3200MHz CL22 1Gx16 -40°C +95°C 1.2V Samsung

4 GB DDR3L SO-DIMM 1866 MHz, 512Mx8, 0°C~+85°C, 1.5V/1.35V Micron;

Innodisk 8GB DDR4 SO-DIMM 3200MHz CL22, 1Gx8 Samsung 0°C +95°C, 1.2V

Nexaiot Napájecí adaptér 60W/24V, 5A, pro Nise , 3 pinový

Innodisk 16GB DDR4 SO-DIMM 3200MHz CL22, 1Gx8 Micron 0°C~+85°C, 1.2V

250GB 2.5" SATA SSD 3TG6-P 3D2 TLC iCell 0°C~+70°C, P/E3tis., TBW578, MTBF>3mil

Innodisk 8GB DDR4 DIMM, 3200MHz, CL22, 1Gx8, Micron 0°C~+85°C, 1.2V

Innodisk 8GB DDR5 SO-DIMM, 4800MHz, 1Gx16, 0°C~+95°C, 1.1V

Innodisk 8GB DDR5 SO-DIMM, 5600MHz, 1Gx16, -40°C~+95°C, 1.1V; Vlastnosti produktu: SO-DIMM paměťový modul; Plně testovaný a optimalizovaný pro stabilitu a výkon; Používá originální integrovaný obvod, který splňuje přísné průmyslové normy; Integ...

Innodisk 8GB DDR5 DIMM, 5600MHz, 1Gx16, 0°C~+95°C, 1.1V; Vlastnosti produktu: UDIMM paměťový modul; Plně testovaný a optimalizovaný pro stabilitu a výkon; Používá originální integrovaný obvod, který splňuje přísné průmyslové normy; Integrovaný ...

Innodisk 250GB M.2 (S80) 3TG6-P iCell TLC, -40°C +85°C, P/E 3tis., TBW 578, MTBF>3mil.

120GB 2.5" SATA SSD 3TG6-P 3D2 TLC iCell 0°C~+70°C P/E3tis.,TBW289, MTBF>3mil.

Innodisk 160GB M.2(P42) 4IE3 iSLC NVMe4x4 0°C+70°C P/E100tis. TBW 8.174 MTBF>3mil. DWPD 30.7

Innodisk 160GB M.2(S42) 3IE7 iSLC, 0°C~+70°C, P/E 100tis., TBW 10.000, MTBF>3mil.

40GB mSATA 3IE7 iSLC, -40°C~+85°C, P/E 100tis., TBW 2500, MTBF>3mil.